电容器持续发展内涵将异于过去

回顾历史，经过20多年的奋斗，我国已成为全球电容器生产大国，占全球总产量的30左右。由于全球经济复苏及我国信息产业快速发展，电容器行业在继续做大的同时必须做强，以强做大，这是发展内涵变化的核心。
   　　在电子元件片式化进程中，电阻器和电容器一马当先。2002年，日本电阻器片式化率就达98，陶瓷电容器片式化率达80，钽电容器片式化率2001年就已达99；美国电阻网络片式化率2000年达41。至于电感器片式化率日本1998年已达52以上，2002年日、美均已达70，而信号电路用的电感器片式化率已达80以上；开关片式化率达20以上。1999年日本陶瓷滤波器片式化率达19，而蜂窝移动通信设备中使用的片式陶瓷滤波器已占71，温度补偿晶体振荡器片式化率已超过90。
   　　电子元件在片式化的同时，小型化也在迅速发展，不仅传统元件在迅速小型化,片式元件也在迅速小型化。目前，1608型片式阻容元件已成为日本生产的主流产品，1005型的片式阻容元件已成为移动通信设备使用的主流阻容元件。片式钽电容和片式塑料膜电容器最小尺寸均已达1608，且已商品化。片式陶瓷电容器、片式负温度系数热敏电阻器(ntc)已开始批量生产0603型极小产品，金属化塑料膜电容器和云母电容器均已商品化生产1608型产品。
   　　随着电子设备的薄轻小化，对电子元件复合化的要求也越来越强烈。日本tdk公司现已生产由4、8、16个电容器芯子组成的独石陶瓷电容器阵列。
   　　陶瓷电容器仍将在世界电容器市场上居主导地位，而片式电容器将主宰陶瓷电容器和钽电容器市场。小型化、大容量、高电压、高频率、抗干扰和阵列化仍将是陶瓷电容器发展的方向。1005型片式陶瓷电容器已流行，0603型产品已上市，0402型产品已在开发。目前，利用薄层和多层化(600层～800层)技术以及内电极贱金属技术，已开发出容量高达100μf的独石陶瓷电容器，制造商已在开发容量为200μf甚至200μf以上的独石陶瓷电容器的制作技术。
   　　小尺寸、大容量、长寿命、耐高温、低等效串联电阻等仍是铝电解电容器的发展方向。2000年松下电子元件公司开发出了wa系列铝电容器，其容量值较先前提高了2倍～18倍,同时，该公司还投放了超低外型的片式铝电容器，其高度仅0.95mm。
   　　片式产品继续引领钽电容向小型化、大容量、低阻抗、低esr方向发展，功能高分子聚合物钽电容器生产和应用将进一步扩大，钽粉cv值将继续提高，目前钽粉cv值已达100000，但制造商(如日本elna公司)已在开发150000cv值的钽粉。
   　　值得注意的是工程技术人员正在开发利用铌作介质材料的铌电容器，由于铌的供应相当于钽的100倍，而该电容器的外形、结构和性能与片式钽电容器相似，由于成本关系，钽电容器不适于1000μf级产品的大批量生产，而铌电容器可实现该量级产品的批量生产。